関西大学学術リポジトリ >
1100 学部・機構・専門職大学院 >
理工系学部 >
化学生命工学部 >
化学生命工学部-雑誌発表論文等 >

このアイテムの引用には次の識別子を使用してください: http://hdl.handle.net/10112/11399

タイトル: Study on resist performance of chemically amplified molecular resists based on cyclic oligomers
著者名: YAMAMOTO, Hiroki
KUDO, Hiroto
KOZAWA, Takahiro
著者の別表記: 工藤, 宏人
キーワード: Chemically amplified resist
Extreme ultraviolet
Molecular resist
Noria derivative
Calixarene derivative
関西大学
Kansai University
論文発行年月日: 2014年2月5日
出版者: Elsevier
雑誌名: Microelectronic Engineering
巻: 133
開始ページ: 16
終了ページ: 22
抄録: Novel resist materials are required for lithographic processing with ionization radiation such as extreme ultraviolet (EUV) and electron beam (EB) exposure tools. In this study, we synthesized positive-tone chemically amplified molecular resist materials with pendant adamantyl ester (AD) and cyclohexyl 2-propyl ether moieties based on cyclic oligomers such as noria, calixarene dimer, cyclodextrin, and pillar arene, and we examined the lithographic performances of sensitivity, etching durability, and patterning under EUV and EB exposure. We clarified that the sensitivity of the resist materials was consistent with the structure of the cyclic oligomers, i.e., the hole size of the molecular structure might be an important factor relevant to high-resolution resist materials. We found that chemically amplified molecular resists based on cyclic oligomers such as noria, calixarene dimer, cyclodextrin, and pillar arene are promising candidates for higher-resolution resist materials.
資料種別: Journal Article
著作権等: (C) 2014 Elsevier B.V. All rights reserved.
URI: http://hdl.handle.net/10112/11399
DOI: 10.1016/j.mee.2014.11.002
ISSN: 01679317
著者版フラグ: author
出現コレクション:化学生命工学部-雑誌発表論文等

このアイテムのファイル:

ファイル 記述 サイズフォーマット
KU-1100-20150214-01.pdf1.06 MBAdobe PDF
見る/開く

このアイテムは次のライセンスが設定されています: クリエイティブ・コモンズ・ライセンス
Creative Commons

このリポジトリに保管されているアイテムは、他に指定されている場合を除き、著作権により保護されています。

 

Valid XHTML 1.0! Powered by DSpace Software Copyright © 2002-2007 MIT and Hewlett-Packard - ご意見をお寄せください ご利用にあたって PAGE TOP